Przemysłowe pamięci USB

Przemysłowa pamięć USB, Single-level Cell (SLC) NAND-Flash, Pamięć: 1 Gbit, Over-Provisioning: 5%, USB 2.0, Złącze męskie M12 (4-biegunowe/kodowanie A), System korekcji błędów pamięci ECC, Zakres temperatury: -40-70 °C, Stopień ochrony: IP65/IP67, Materiał obudowy: Stal nierdzewna (1.4305), Z pierścieniem osadczym

Przemysłowa pamięć USB, Single-level Cell (SLC) NAND-Flash, Pamięć: 1 Gbit, Over-Provisioning: 5%, USB 2.0, Złącze męskie M12 (4-biegunowe/kodowanie A), System korekcji błędów pamięci ECC, Zakres temperatury: -40-70 °C, Stopień ochrony: IP65/IP67, Materiał obudowy: Stal nierdzewna (1.4305)

Przemysłowa pamięć USB, Single-level Cell (SLC) NAND-Flash, Pamięć: 8 Gbit, Over-Provisioning: 5%, USB 2.0, Złącze męskie M12 (4-biegunowe/kodowanie A), System korekcji błędów pamięci ECC, Zakres temperatury: -40-70 °C, Stopień ochrony: IP65/IP67, Materiał obudowy: Stal nierdzewna (1.4305), Z pierścieniem osadczym

Przemysłowa pamięć USB, Single-level Cell (SLC) NAND-Flash, Pamięć: 8 Gbit, Over-Provisioning: 5%, USB 2.0, Złącze męskie M12 (4-biegunowe/kodowanie A), System korekcji błędów pamięci ECC, Zakres temperatury: -40-70 °C, Stopień ochrony: IP65/IP67, Materiał obudowy: Stal nierdzewna (1.4305)

Przemysłowa pamięć USB, Single-level Cell (SLC) NAND-Flash, Pamięć: 4 Gbit, Over-Provisioning: 5%, USB 2.0, Złącze męskie M12 (4-biegunowe/kodowanie A), System korekcji błędów pamięci ECC, Zakres temperatury: -40-70 °C, Stopień ochrony: IP65/IP67, Materiał obudowy: Stal nierdzewna (1.4305)

Przemysłowa pamięć USB, Single-level Cell (SLC) NAND-Flash, Pamięć: 4 Gbit, Over-Provisioning: 5%, USB 2.0, Złącze męskie M12 (4-biegunowe/kodowanie A), System korekcji błędów pamięci ECC, Zakres temperatury: -40-70 °C, Stopień ochrony: IP65/IP67, Materiał obudowy: Stal nierdzewna (1.4305), Z pierścieniem osadczym